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J-GLOBAL ID：200903076281529295

強誘電体薄膜、その製造方法、半導体不揮発性メモリー素子、強誘電体ゲート型FET素子およびセンサー

Inventor： 白川 幸彦 ,  佐藤 美穂子 ,  山本 恭之
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995099950
Publication number (International publication number)：1996277196
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、かかる課題を解決するため、単一グレイン状態のPb5 Ge3 O11分極軸配向薄膜である強誘電体薄膜、その製造方法、上記強誘電体薄膜を利用した各種半導体デバイス、およびセンサを提供する。【構成】 本発明の強誘電体薄膜は、表面の対称性が3回対称性を持つ基板上に形成された400μm2以下の面積の組成Pb5 Ge3 O11である強誘電体薄膜であって、前記Pb5 Ge3 O11が単一グレインであり、かつ分極軸が基板表面に垂直な方位に配向している。

Claim (excerpt)：

表面の対称性が3回対称性を持つ基板上に形成された400μm2以下の面積のPb5 Ge3 O11の組成の強誘電体薄膜であって、前記Pb5Ge3 O11が単一グレインであり、かつ分極軸が基板表面に垂直な方位に配向している強誘電体薄膜。

IPC (7)：

C30B 29/22 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

C30B 29/22 Z ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371