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J-GLOBAL ID：200903076291703854

気相成長装置

Inventor： 河合 弘治 ,  榎本 昌久 ,  和田 伸一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993129799
Publication number (International publication number)：1994338456
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 安定して、一様な膜厚の気相成長を行うことができるようにする。【構成】 被気相成長基体が配置される気相成長反応容器の原料ガス導入部3が複数に分割された構成とする。

Claim (excerpt)：

被気相成長基体が配置される気相成長反応容器の原料ガス導入部が複数に分割されてなることを特徴とする気相成長装置。