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J-GLOBAL ID：200903076292177285
ドライエッチング装置及びドライエッチング方法及び素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
日比谷 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997067263
Publication number (International publication number)：1998247639
Application date： Mar. 05, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：
(57)【要題】【課題】 フレネルレンズやバイナリオプティックスのように素子が素子中心に対して点対称であるようなデバイスにおいて、素子のパターン形状を斜めエッチングによって点対称に形成する。【解決手段】 基板Wを傾斜して設置することにより、エッチングの方向が基板Wに対して斜めの角度を有すると同時に、素子基板Wと上部電極2の間の距離が基板W内で変化し、この距離に応じてエッチング速度が変化する。更に、この基板Wを素子中心を中心に回転させることによって、エッチング速度分布と形状の分布を素子中心に対して点対称に分布させることができる。
Claim (excerpt)：
反応室と、該反応室を排気するための真空系と、前記反応室にガスを導入するためのガス供給系と、プラズマを形成するための上部電極及び下部電極とを備える反応性イオンドライエッチング装置において、前記電極と被加工基板を任意の角度に設置するための回転機構を有する傾斜ステ-ジを設けたことを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
