Pat

J-GLOBAL ID：200903076299649611

化合物半導体ウェハの研磨方法

Inventor： 柴谷 博志 ,  坂巻 元治
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 広瀬 章一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992349976
Publication number (International publication number)：1994177095
Application date： Dec. 03, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体ウエハ表面の化学機械的研磨において効率のよい最終段階研磨法の提供。【構成】 分散剤とコロイダルシリカを含む液を用いて最終段階研磨リンスを行なう。

Claim (excerpt)：

化合物半導体ウエハ表面を化学機械的研磨(メカノケミカルポリッシング)により化学的作用の強い条件で研磨する方法において、前記研磨の終了直前に分散剤を添加したコロイダルシリカ懸濁液で前記半導体ウエハ表面を研磨することを特徴とする、化合物半導体ウエハの研磨方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  C04B 41/91 ,  C09K 3/14 ,  H01L 27/12