Pat
J-GLOBAL ID：200903076308597395
多結晶シリコン薄膜用基板および多結晶シリコン薄膜の作製方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992017675
Publication number (International publication number)：1993218367
Application date： Feb. 03, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ランプを用いた高熱のアニールを用いて、多結晶シリコン薄膜を形成しても、ダメージを殆んど受けることのない多結晶シリコン薄膜用基板を提供する。【構成】 歪点温度が700°C以下の低価格のガラス基板101上にSiO2緩衝層102を10μm以上堆積させ、さらに非晶質シリコン膜103を1000Å堆積させる。その後、ランプの光を用いて、非晶質シリコン膜103を急加熱、急冷却して、多結晶シリコン薄膜104を作製する。このとき、非晶質シリコン膜103の温度が1000°C近くの温度まで上昇しても、緩衝層102により、ガラス基板101の温度はその耐熱温度700°C以下になり、ガラス基板101の歪みが抑制され、良質な多結晶シリコン薄膜104を得ることができる。
Claim (excerpt)：
ガラス基板とそのガラス基板上に形成された緩衝層とからなり、上記緩衝層の上に非単結晶シリコンが堆積されて、非単結晶シリコン膜が形成され、この非単結晶シリコン膜に光が照射されて、上記非単結晶シリコン膜が急加熱され、急冷却されて、多結晶シリコン薄膜が作製される多結晶シリコン薄膜用基板において、上記緩衝層の厚さがを10μm以上有することを特徴とする多結晶シリコン薄膜用基板。
IPC (3)：
H01L 27/12
, H01L 21/205
, H01L 21/26
