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J-GLOBAL ID：200903076314544538
炭化珪素半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (8)：
三好 秀和
, 三好 保男
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 栗原 彰
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002324308
Publication number (International publication number)：2004193143
Application date： Nov. 07, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：
【課題】オン抵抗を低減し、かつ素子耐圧を向上することができる、高耐圧炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】n+型炭化珪素基板領域11と、n+型炭化珪素基板領域11上に形成されたn-型の炭化珪素からなるドレイン領域12と、ドレイン領域12よりバンドギャップが小さいヘテロ半導体からなり、ドレイン領域12の一方の主面上に形成されたソース領域13と、ソース領域13上の所定領域に形成されたゲート絶縁膜14と、ゲート絶縁膜14の上に形成されたゲート電極15と、ゲート電極15の側方に配置されて、ゲート絶縁膜14が存在しない部分でソース領域13に接触するように形成されたソース電極16と、n+型炭化珪素基板領域11の他方の主面側に形成されたドレイン電極17とからなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1導電型の炭化珪素半導体基体でなるドレイン領域と、
前記炭化珪素半導体基体の一方の主面上に接合された、前記炭化珪素半導体基体とはバンドギャップが異なるヘテロ半導体からなるソース領域と、
前記ソース領域上に絶縁層を介して配置されたゲート電極と、
前記ソース領域に接触するソース電極と、
前記ドレイン領域に接触するドレイン電極と、
を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (1)：
FI (3)：
H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 654Z
