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J-GLOBAL ID：200903076331180523

薄膜トランジスタ

Inventor： 上田 徹
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992232466
Publication number (International publication number)：1994084944
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 多結晶シリコンの膜質を向上させ、オフ電流が小さく、かつオン電流が大きい良好な特性を有し、しかもその特性が均一性に優れたものとする。【構成】 非晶質シリコン層2を熱処理して結晶化させると、これによって結晶粒径が拡大した多結晶シリコン層3′が得られる。更に酸化性雰囲気中で熱処理すると、多結晶シリコン層3′の中に残存する欠陥が低減される。これにより、膜質に優れた多結晶シリコンからなる半導体層3が形成されてオン電流が増大する。また、半導体層3に注入する不純物としてほう素を用いると、ほう素が軽いために、深さ方向になだらかな分布を有する状態でイオン注入される。これにより低濃度不純物領域9a、9bの濃度が均一となり、特性が均一性をもつようになる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に、一部を除いて不純物を注入してなるLDD構造の半導体層が形成された薄膜トランジスタにおいて、該半導体層が、非晶質シリコンに第1の熱処理を行って非晶質シリコンを結晶化させた後、酸化性雰囲気中で第1の熱処理温度より高い温度で第2の熱処理を行って形成された多結晶シリコンからなり、かつ、不純物にほう素を使用して形成されている薄膜トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (3)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 311 S