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J-GLOBAL ID：200903076334083545
半導体装置用リードフレームの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993119526
Publication number (International publication number)：1994334087
Application date： May. 21, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】Ag/Ni界面の密着性の向上を図り、リードフレームを酸素雰囲気中で加熱しても、めっき剥がれ現象が生じないようにする。【構成】下地層である金属基体のNiめっき上に、中間層としてCuめっきを設けた後、その上に外層としてAgめっきを設けてリードフレームを製造する。製造後、直ちにリードフレームを非酸化性雰囲気中で400°Cを超える温度で熱処理する。これにより中間層のCuがAg、Ni中へ適宜拡散する。Ag中へ拡散したCuは、より表面近傍で酸素をトラップして、下地層のNiめっきへの酸素の到達を有効に阻止してNiめっき面の酸化を防ぐ。
Claim (excerpt)：
金属基体のNiめっき又はNi系合金めっき上に、中間層としてCuめっきを設けた後、その上にAgめっきを施すようにした半導体装置用リードフレームの製造方法において、Agめっき後、さらにリードフレームを非酸化性雰囲気中で400°C以上の温度で熱処理したことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。
IPC (3)：
H01L 23/50
, C25D 5/12
, C25D 7/12
