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J-GLOBAL ID：200903076343172976
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117136
Publication number (International publication number)：1993315700
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザからの出射光をフォトディテクタ基板法線方向に出射するとともに、半導体レーザとフォトディテクタを同一平面上に配置することにより組立精度を向上することを目的とする。【構成】 <110>方向を軸とし、1〜11°のオフアングルを有する(511)面シリコン基板10に(111)面の斜面を有するV状の溝11を形成し、45°に近い方の斜面を反射ミラー面12とし、この面に対向する斜面側のシリコン基板10の主面33を他方の主面32に対して低くし、さらに反射ミラー面12に対向する面の溝上端稜線に対して半導体レーザチップ13の前端面がほぼ平行になるように配置した構成による。
Claim (excerpt)：
<110>方向を軸として1〜11°のオフアングルを有する(511)面のシリコン基板と、そのシリコン基板上の所定部に形成された両側の斜面が(111)面で断面形状がV状の溝と、その溝を形成する斜面のうち前記シリコン基板の表面に対する傾きが45°に近い反射ミラー面に対向する斜面側の前記シリコン基板の主面を他方の主面に対して低くし、その低くした主面上に前記反射ミラー面に対向する斜面の溝上端稜線に対して前端面がほぼ平行になるように固定された半導体レーザチップとを少なくとも有することを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
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