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J-GLOBAL ID：200903076362714631

気相成長装置、薄膜の形成方法、および半導体装置の製造方法

Inventor：
山本 朝恵

About 山本 朝恵

, 
飯野 知久

About 飯野 知久


Applicant, Patent owner：
NECエレクトロニクス株式会社

About NECエレクトロニクス株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004164124
Publication number (International publication number)：2005347446
Application date： Jun. 02, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：
【課題】高品質な薄膜を安定的に形成する。【解決手段】薄膜を形成するための気相成長装置100であって、チャンバー1060と、チャンバー1060内に、薄膜の原料を気体の状態で供給する原料供給管120と、原料容器112内の原料を気化して、原料供給管120に供給する気化器202と、温度制御部と、を備える気相成長装置100を提供する。上記の温度制御部は、原料供給管120のうちチャンバー1060に結合した配管部分116の温度を制御する、ヒータ制御部172とテープヒータ170とからなる第一の温度制御部と、気化器に結合した配管部分114の温度を制御する、ヒータ制御部168とテープヒータ166からなる第二の温度制御部と、バルブ159の温度を制御する、ヒータ制御部167と恒温槽153とからなる第三の温度制御部と、を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
薄膜を形成するための気相成長装置であって、 チャンバーと、 前記薄膜の原料を気化して原料ガスを生成する気化部と、 前記チャンバーおよび前記気化部の間に設けられた配管システムと、 前記配管システムの温度を制御する温度制御部と、 を備え、 前記配管システムは、 前記チャンバーに結合された第一の配管部分と、 前記気化部に結合された第二の配管部分と、 前記第一の配管部分および前記第二の配管部分の間に設けられたバルブと、 を有し、 前記温度制御部は、 前記バルブの温度制御を、前記第一の配管部分および前記第二の配管部分のうち少なくとも一方の温度制御と独立して行えるように構成されていることを特徴とする気相成長装置。
IPC (6)：
H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78
FI (5)：
H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/10 621C
F-Term (42)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA11 ,  4K030KA25 ,  4K030KA41 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC00 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AE19 ,  5F045AF01 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE01 ,  5F083AD24 ,  5F083GA06 ,  5F083JA01 ,  5F083JA39 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (1)
  • 半導体装置の製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-306988   Applicant：三菱電機株式会社

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