Pat

J-GLOBAL ID：200903076363421417

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： アグス スバギョ ,  中村 基訓 ,  末岡 和久 ,  武笠 幸一
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 北海道大学
Agent (1)： 鷲田 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008179445
Publication number (International publication number)：2009044139
Application date： Jul. 09, 2008
Publication date： Feb. 26, 2009
Summary：

【課題】優れた電気伝導特性を安定して示すカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを再現性よく製造することができる方法を提供すること。【解決手段】まず、基板上にチャネルとなるカーボンナノチューブを配置した後、カーボンナノチューブをパッシベーション膜で保護する。次いで、カーボンナノチューブの両端を切断して、ソース電極およびドレイン電極と接合させる面を露出させる。最後に、カーボンナノチューブの両端に位置する切断面にソース電極およびドレイン電極をそれぞれ接合させる。このようにして製造された電界効果トランジスタは、ソース電極およびドレイン電極に印加する電圧の符号に依存しない電気特性を示す。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極とドレイン電極とを接続するカーボンナノチューブからなるチャネルを有する電界効果トランジスタの製造方法であって、 基板上にカーボンナノチューブを配置するステップと、 ソース電極およびドレイン電極を形成する前に、前記カーボンナノチューブ上にパッシベーション膜を形成するステップと、 前記カーボンナノチューブを切断して、前記カーボンナノチューブの第一の端面および第二の端面を露出させるステップと、 前記第一の端面に接合されたソース電極および前記第二の端面に接合されたドレイン電極を形成するステップと、 を含む、電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (6)：

H01L29/80 F ,  H01L29/06 601N ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L29/50 M ,  H01L29/80 Q

F-Term (33)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104DD68 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02 ,  5F102GT02 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-028613   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-028613   Applicant：ソニー株式会社