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J-GLOBAL ID：200903076366306511

半導体装置

Inventor： 保川 彰夫 ,  山村 博久 ,  内藤 祥太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995040090
Publication number (International publication number)：1996236667
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 信頼性の高い構造をもつ半導体装置を提供する。【構成】 IGBTチップ2を搭載した絶縁板1と、IGBTチップ2の周囲を取り囲む樹脂ケース7と、この樹脂ケース7に充填した樹脂であってIGBTチップ2を覆ってそのIGBTチップ2と樹脂ケース7との隙間を埋める充填樹脂16と、絶縁板1を取り付けた放熱板9とを有する半導体装置において、絶縁板1を放熱板9に取り付ける手段として、樹脂ケース7を用いて絶縁板1を放熱板9に押しつける構造を有していることを特徴とする。【効果】 大電流用のIGBTチップを用いたインバータ装置に好適な構造を有する半導体装置を提供できる。

Claim (excerpt)：

半導体チップを搭載した絶縁板と、前記半導体チップの周囲を取り囲む樹脂ケースと、この樹脂ケースに充填した樹脂であって前記半導体チップを覆ってその半導体チップと樹脂ケースとの隙間を埋める充填樹脂と、前記絶縁板を取り付けた放熱板とを有する半導体装置において、前記絶縁板を前記放熱板に取り付ける手段として、前記樹脂ケースを用いて前記絶縁板を前記放熱板に押しつける構造を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/40 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 23/40 Z ,  H01L 25/04 C