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J-GLOBAL ID：200903076367454093
半導体用リードフレーム
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993194852
Publication number (International publication number)：1995050377
Application date： Aug. 05, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 曲げ加工性、ボンディング性、半田付け性及び樹脂密着性が優れた高品質の半導体用リードフレームを提供する。【構成】 銅又は銅合金からなるリードフレーム基材4の表面に0.1μm以上の厚さのニッケル又はニッケル合金層2が形成され、このニッケル又はニッケル合金層上にパラジウム又はパラジウム合金めっき層1が形成されている。ニッケル又はニッケル合金層2は、ビッカース硬さが180以下であると共に、圧延組織となっている。また、基材4とニッケル又はニッケル合金層2との間には、銅ニッケル拡散層3が0.05μm以上の厚さで形成されている。
Claim (excerpt)：
銅又は銅合金からなる基材と、この基材の上に設けられビッカース硬さが平均値で180以下の圧延組織である厚さが平均値で0.1μm以上のニッケル又はニッケル合金層と、このニッケル又はニッケル合金層の上に形成されたパラジウム又はパラジウム合金めっき層と、前記基材と前記ニッケル又はニッケル合金層との間に形成された厚さが平均値で0.05μm以上の銅ニッケル拡散層とを有することを特徴とする半導体用リードフレーム。
IPC (2)：
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