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J-GLOBAL ID：200903076380695776
半導体薄膜の製造装置および半導体薄膜の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996020225
Publication number (International publication number)：1997213651
Application date： Feb. 06, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 基板全面に渡って、均一で良質な結晶性半導体薄膜を形成する。【解決手段】 光源1からのレーザー光10をレーザー光11、12に分割し、一定の光路長差を与える。レーザー光11、12を合成して半導体薄膜13表面に照射する。各々のレーザー光11、12が時間的にずれて重ね合わせられるので、ビームのパルス幅を変化させることができ、また、アニール温度を変化させて予備加熱や徐冷を行うことができる。
Claim (excerpt)：
非晶質半導体薄膜表面にレーザー光を照射してアニールすることにより該非晶質半導体薄膜を多結晶化する半導体薄膜の製造装置において、該レーザー光を出射する光源と、該光源からのレーザー光を複数のレーザー光に分割する光分割手段と、分割された複数のレーザー光に、互いに一定の光路長差を与える光学手段と、互いに一定の光路長差を有する複数のレーザー光を合成して該非晶質半導体薄膜表面に照射する光合成手段とを有する半導体薄膜の製造装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/268 B
, H01L 21/20
