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J-GLOBAL ID：200903076383905674

半導体ウエーハの端面研摩方法及び装置

Inventor： 尾崎 治雄
Applicant, Patent owner： エムテツク株式会社
Agent (1)： 内田 和男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991280663
Publication number (International publication number)：1993090234
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェーハの端面を液状の研摩剤を供給しながら円形研摩板に接触させて表面粗さを均一に鏡面研摩して該半導体ウェーハの端面への塵埃の付着を防止し、半導体素子の製作時における塵埃の影響を低下させて半導体チップの歩留りを向上させる。【構成】 コンピュータにより回転サーボ機構と直進サーボ機構とを2軸制御して液状の研摩剤を滴下しながら半導体ウェーハの端面を回転する円形研摩板の外周部に形成された略V字型の溝部と常に所定の一定圧力で、かつ接触時間を一定に制御して接触させて研摩する構成を特徴とする。

Claim (excerpt)：

駆動装置により回転駆動される円形研摩板の外周部に形成された略V字型の溝部に半導体ウェーハの端面を回転させながら所定の圧力で接触させると共に前記円形研摩板と前記半導体ウェーハとの接触部に液状の研摩剤を滴下して前記半導体ウェーハの前記端面を鏡面研摩することを特徴とする半導体ウェーハの端面研摩方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 9/00 ,  H01L 21/304 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭51-000269
  
• 特開平3-026459
  
• 特開昭57-183634