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J-GLOBAL ID：200903076401624599

超浅接合形成部において用いられるイリジウムを含む熱安定性の高いニッケルシリサイドおよびその製造方法

Inventor： ジャー-セン マ- ,  ヨシ オノ ,  フェニャン ツアン
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002127643
Publication number (International publication number)：2002367929
Application date： Apr. 26, 2002
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 温度が800°C以上になってもシリサイド層の接合部の完全性および安定性を保持する。【解決手段】 シリコン基板上にイリジウム中間層と共に作製されたニッケルシリサイドを備えた集積回路デバイスおよびその製造方法。上記方法は、シリサイド化反応を行う前にNi層とSi層との間にイリジウム(Ir)界面層を堆積させる工程を含む。薄いイリジウム層を付加することにより、ニッケルシリサイドの熱安定性が顕著に向上する。アニーリング温度が850°Cであったとしても、シリサイドの低シート抵抗によって、超浅接合形成部の低接合リーク電流が実現される。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にニッケルシリサイドを作製する方法であって、シリコン基板を提供する工程と、該シリコン基板上にイリジウムを堆積させる工程と、該シリコン基板上にニッケルを堆積させる工程であって、該ニッケルは該イリジウムと接触する、工程と、該イリジウムおよび該ニッケルにアニーリングを行って、該シリコン基板上にニッケルシリサイドを形成する工程と、を包含する、方法。

F-Term (15)：

4M104AA01 ,  4M104BB21 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD43 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14