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J-GLOBAL ID：200903076402441030

縮小投影露光方法および縮小投影露光装置

Inventor： 柳下 祐一郎
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991281714
Publication number (International publication number)：1993121291
Application date： Oct. 28, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置製造等において用いられる、微細パターンを縮小投影露光する方法および装置に関し、高集積度、高解像度のパターン作成を容易とする縮小投影露光方法を提供することを目的とする。【構成】 マスクを透過した光を光学系により縮小投影して半導体ウエハもしくはレティクル上にパターン像を転写する縮小投影露光方法において、前記マスクが外部信号により光透過率を変化させ得る多数の可変透過率要素を含み、マスクおよび半導体ウエハもしくはレティクルを固定したまま、半導体ウエハもしくはレティクル上に複数回異なるパターン像を縮小投影することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

マスク(4)を透過した光を光学系(9)により縮小投影して半導体ウエハ(12)もしくはレティクル上にパターン像を転写する縮小投影露光方法において、前記マスク(4)が外部信号(20)により光透過率を変化させ得る多数の可変透過率要素(5)を含み、マスクおよび半導体ウエハもしくはレティクルを固定したまま、半導体ウエハもしくはレティクル上に複数回異なるパターン像を縮小投影することを特徴とする縮小投影露光方法。

FI (3)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 301 G