Pat
J-GLOBAL ID：200903076428841893
金属-絶縁膜-半導体センサによる流体の検出
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 稔 (外7名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996534959
Publication number (International publication number)：2001509879
Application date： May. 14, 1996
Publication date： Jul. 24, 2001
Summary：
【要約】Pt/Ir合金電極を備える金属-絶縁膜-半導体ダイオードセンサはエチレンに対して敏感であり、且つ、エチレンを検出することができる。異なる応答反応を有する金属-絶縁膜-半導体ダイオードセンサは、少なくとも1つの主要故障ガスCO、H2、C2H2及びC2H4を検出することによって、電気的トランスの故障を表示することができる。
Claim (excerpt)：
流体中の成分を検出するための白金とイリジウムの合金から ほぼ成る電極 を備えたことを特徴とする金属-絶縁膜-半導体ダイオードセンサ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
-
特開昭63-071647
-
特公平4-044691
-
特公昭63-002056
Article cited by the Patent：
Return to Previous Page
