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J-GLOBAL ID：200903076433935430
銅薄膜のプラズマエッチング法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998111866
Publication number (International publication number)：1999307515
Application date： Apr. 22, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：
【要約】【課題】高温にて銅薄膜の異方性加工を良好に且つ確実に行うことができるプラズマエッチング法を提供する。【解決手段】基体上に形成された銅薄膜のプラズマエッチング法は、ハロゲン系ガスをエッチング用ガスとして用い、銅薄膜を230 ゚C乃至300 ゚Cに加熱した状態で、エッチング生成物である銅-ハロゲン化合物の銅薄膜表面からの脱離が銅-ハロゲン化合物の生成を上回るように、エッチング用ガス流量及び圧力、並びに電子密度を制御して、銅薄膜をプラズマエッチングする。
Claim (excerpt)：
基体上に形成された銅薄膜のプラズマエッチング法であって、ハロゲン系ガスをエッチング用ガスとして用い、銅薄膜を230 ゚C乃至300 ゚Cに加熱した状態で、エッチング生成物である銅-ハロゲン化合物の銅薄膜表面からの脱離が銅-ハロゲン化合物の生成を上回るように、エッチング用ガス流量及び圧力、並びに電子密度を制御して、銅薄膜をプラズマエッチングすることを特徴とする銅薄膜のプラズマエッチング法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 A
, C23F 4/00 A
