Pat

J-GLOBAL ID：200903076434802450

窒化ガリウム系薄膜の成長方法

Inventor： 今井 秀秋 ,  宮田 邦夫
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Agent (1)： 渡辺 一雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991179707
Publication number (International publication number)：1993029220
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 紫外〜青色領域の光素子用として最適なGaN系半導体薄膜を得ること。【構成】 三フッ化窒素を窒素源に用いてGaN系半導体薄膜をガスソースMBEなどの真空装置を使用した成膜方法により作製する。【効果】 薄い膜厚で平坦であり、結晶性に優れた薄膜を得ることができる。また、キャリアー密度の制御が容易であるため光素子用の半導体薄膜として最適である。

Claim (excerpt)：

真空中で窒化ガリウム系薄膜を製造する際、三フッ化窒素を窒素源として用いることを特徴とする窒化ガリウム系薄膜の成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  C01B 21/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00