Pat

J-GLOBAL ID：200903076439035546

酸化ハフニウムのエッチング方法

Inventor： 岡本 伊雄 ,  和田 卓也
Applicant, Patent owner： 大日本スクリーン製造株式会社
Agent (2)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003195009
Publication number (International publication number)：2005032914
Application date： Jul. 10, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】基板上に形成された酸化ハフニウムを良好にエッチングする。【解決手段】スピンチャック1に保持された基板Wに対して、エッチング液供給ノズル11から、ふっ酸および濃硫酸の混合液からなるエッチング液が供給される(ふっ酸エッチング工程)。その後、前リンス処理液供給ノズル12から、濃硫酸または濃酢酸からなる前リンス処理液が基板Wに供給され、基板W上からエッチング液が排除される(前リンス工程)。次に、純水供給ノズル13から、基板Wに純水が供給され、前リンス処理液が基板W外に排除される(純水リンス工程)。【効果】基板W上に水分のない状態でふっ酸を基板W外に排除し、その後に純水リンスが行われるから、ふっ酸による基板構成材料の不所望なエッチングが生じない。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成された酸化ハフニウムを選択的にエッチングするための方法であって、 上記基板にふっ酸を含む薬液を供給して、ふっ酸の作用により基板上の酸化ハフニウムをエッチングするふっ酸エッチング工程と、 このふっ酸エッチング工程の後、上記基板の構成材料または酸化ハフニウムに対するエッチング性のない実質的に水分を含まない前リンス処理液を上記基板に供給して、上記基板上からふっ酸を含む薬液を排除する前リンス工程と、 この前リンス工程の後、上記基板上に純水を供給して、上記基板上から上記前リンス処理液を排除する純水リンス工程とを含むことを特徴とする酸化ハフニウムのエッチング方法。

IPC (1)：

H01L21/306

FI (1)：

H01L21/306 D

F-Term (8)：

5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043BB27 ,  5F043DD12 ,  5F043DD13 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10