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J-GLOBAL ID：200903076439275547

プラズマCVD法による堆積膜形成方法および装置

Inventor： 瀬木 好雄 ,  片桐 宏之 ,  松岡 秀彰 ,  高田 和彦
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998217991
Publication number (International publication number)：2000054143
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 反応容器内のガス流を安定化し、膜厚および膜質が均一な堆積膜を定常的に形成し、画像欠陥を激減させ、量産化を可能とし、歩留りを飛躍的に向上させるプラズマCVD法による堆積膜形成方法および形成装置の提供。【解決手段】 プラズマCVD法による成膜装置の円筒状反応容器内の円筒状支持体保持手段上に円筒状支持体を配置し、該支持体の同軸外周上に該支持体の長手方向に沿って設けられた複数の原料ガス導入管を介して成膜用原料ガスを前記円筒状反応容器内に導入し、放電エネルギーを該反応容器内に導入して、該反応容器内に導入された前記成膜用原料ガスを励起種化させて前記円筒状支持体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記原料ガス導入管を少なくとも二重管構成となし、該二重管の内管を原料ガス供給源に接続し、且つ二重管の外管よりも全長を短くすることを特徴とする堆積膜形成方法および形成装置。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD法による成膜装置の円筒状反応容器内の円筒状支持体保持手段上に円筒状支持体を配置し、該支持体の同軸外周上に該支持体の長手方向に沿って設けられた複数の原料ガス導入管を介して成膜用原料ガスを前記円筒状反応容器内に導入し、放電エネルギーを該反応容器内に導入し、該反応容器内に導入された前記成膜用原料ガスを励起種化させ、前記円筒状支持体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記原料ガス導入管を少なくとも二重管構成となし、該二重管の内管を原料ガス供給源に接続し、且つ該二重管の外管よりも全長を短くすることを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 F

F-Term (38)：

4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030EA05 ,  4K030JA04 ,  4K030KA04 ,  4K030KA05 ,  4K030LA12 ,  4K030LA17 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC08 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB01 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045CA16 ,  5F045DA52 ,  5F045DP25 ,  5F045EC02 ,  5F045EC05 ,  5F045EC08 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EF03