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J-GLOBAL ID：200903076446822707

半導体装置

Inventor： 水越 正孝
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991202089
Publication number (International publication number)：1993048000
Application date： Aug. 13, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 パッケージ内に複数の半導体素子を内蔵してなるマルチチップ型半導体装置に関し、一層の高密度実装化と高出力化を可能にするマルチチップ型半導体装置の提供を目的とする。【構成】 両面にそれぞれ半導体素子14、15が搭載された基板2をパッケージのベース3に実装し、基板2上の電極21とベース3上の電極31をワイヤー4で接続してなる半導体装置であって、少なくとも下面に搭載される半導体素子14がフェイスダウン方式によって基板2に搭載され、且つ、半導体素子14の背面が熱伝導性の接合材5を介してベース3に接合されてなるように構成する。

Claim (excerpt)：

両面にそれぞれ半導体素子(14,15) が搭載された基板(2) をパッケージのベース(3) に実装し、該基板(2) 上の電極(21)と該ベース(3) 上の電極(31)をワイヤー(4) で接続してなる半導体装置であって、少なくとも下面に搭載される半導体素子(14)がフェイスダウン方式によって該基板(2) に搭載され、且つ、該半導体素子(14)の背面が熱伝導性の接合材(5) を介して該ベース(3) に接合されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18