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J-GLOBAL ID:200903076464907400

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993143330
Publication number (International publication number):1995014942
Application date: Jun. 15, 1993
Publication date: Jan. 17, 1995
Summary:
【要約】【目的】 パッケージ本体に形成された導体パターンに接続される導体スルーホールの開口部上に、半球状のバンプを容易に形成することができる半導体装置を提供する。【構成】 導体パターンが形成されたプラスチック製のパッケージ本体10に半導体チップが搭載された半導体装置であって、該パッケージ本体10の一端面に開口され且つ内壁面に沿って形成された導体層24が前記導体パターンに接続されて成る導体スルーホール22内に、その開口面積よりも大なる面積の鍔部26に立設された金属製のT字ピンのビン部30が、導体層24に接触するように挿入され、且つ導体スルーホール22の開口部を覆う鍔部26の平坦面側に、半球状のバンプ18が形成されていることを特徴とする。
Claim (excerpt):
導体パターンが形成されたパッケージ本体に半導体チップが搭載された半導体装置において、該パッケージ本体の一端面に開口され且つ内壁面に沿って形成された導体層が前記導体パターンに接続されて成る導体スルーホール内に、導体スルーホールの開口面積よりも大なる面積の鍔部に立設された金属製のT字ピンのピン部が、前記導体層に接触するように挿入されていると共に、前記導体スルーホールの開口部を覆うT字ピンの鍔部の平坦面側に、はんだ等の低融点金属から成る半球状のバンプが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 23/12 ,  H01L 23/50

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