Pat

J-GLOBAL ID：200903076467747055

セラミック多層配線基板、その製造方法及び装置

Inventor： 安永 拓見 ,  田上 文一 ,  皆川 修一 ,  堀田 美明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996344999
Publication number (International publication number)：1998182245
Application date： Dec. 25, 1996
Publication date： Jul. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来の技術では、焼成用供給ガスの熱交換効率の低さによって、また流路の制御が不充分さに起因するリフレッシュ効果の低さによって、高寸法精度、高信頼性が必要なセラミック多層配線基板を製造することが難しかった。これらの課題に対処するため、該焼成用供給ガスの熱交換効率及び流路制御を向上させることにより、高寸法精度、高信頼性が必要なセラミック多層配線基板の製造を容易にすることにある。【解決手段】 焼成用供給ガスの流路を制御しセラミック基板に沿うように供給し、また焼成用供給ガスを多孔質板を経由して供給させ該供給ガスを加熱し高温化し基板温度に近づけることを可能とするとともに、該供給ガスの流速分布を均一化し、該焼成用ガスを供給することによって該焼成用供給ガスの熱交換効率及び流路制御を向上させることにより解決する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つ以上のヒ-タを有し、雰囲気ガス供給口より加熱焼成炉内に焼成用ガスを供給しながら、セラミック絶縁層及び導体層からなる多層セラミック積層体基板の表面に加圧力を加えることによって、加圧した面の焼結収縮を抑制し、焼成する加圧焼成方法において、前記焼成用供給ガスを前記多層セラミック積層体基板の側面に沿うように供給することを特徴とする加圧焼成方法。

IPC (4)：

C04B 35/645 ,  C04B 35/64 ,  H01L 27/01 301 ,  H05K 3/46

FI (5)：

C04B 35/64 N ,  H01L 27/01 301 ,  H05K 3/46 Y ,  H05K 3/46 H ,  C04B 35/64 A