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J-GLOBAL ID：200903076481620084
半導体圧力センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991161870
Publication number (International publication number)：1993010839
Application date： Jul. 02, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 簡単な構成で広い測定レンジを有し小形化が可能な半導体圧力センサを提供する。【構成】 Si基板に形成されたダイアフラムに歪み検出素子が設けられ,前記ダイアフラムに印加される流体の圧力を前記歪み検出素子で検出する様にした半導体圧力センサにおいて,前記Si基板上に感圧度の異なる複数のダイアフラムを形成するとともに各ダイアフラムに歪み検出素子を設ける。
Claim (excerpt)：
Si基板に形成されたダイアフラムに歪み検出素子が設けられ,前記ダイアフラムに印加される流体の圧力を前記歪み検出素子で検出する様にした半導体圧力センサにおいて,前記Si基板上に膜厚が同一で面積の異なる複数のダイアフラムを形成するとともに各ダイアフラムに歪み検出素子を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2)：
G01L 9/04 101
, G01L 7/08
