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J-GLOBAL ID：200903076488374178
衝立付電極基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西村 教光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992228543
Publication number (International publication number)：1994076734
Application date： Aug. 27, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高さの精度が十分で、構造上の強度も十分な衝立付電極基板を提供する。【構成】 (1)基板1上に所定パターンの耐サンドブラスト層2を形成する。(2)サンドブラストを行ない、耐サンドブラスト層2以外の部分を削って衝立5を形成する。(3)基板1の凹凸全面にマスク材6を被着させる。(4)サンドブラストし、衝立5の側面のみにマスク材6を残す。(5)衝立5,5の間に薄膜導体7を形成し、衝立5の耐サンドブラスト層2とマスク材6を除去する。(6)薄膜導体7上に蛍光体8を被着させ、陽極9を形成する。衝立5は基板1から直接削り出されているので高さの精度が良く、機械的強度も十分である。
Claim (excerpt)：
基板上に耐サンドブラスト層を所望のパターンで形成する工程と、前記基板をサンドブラストで加工して前記耐サンドブラスト層の下に衝立となる凸部を形成する工程と、前記凸部を除く基板の表面に薄膜導体を有する電極を形成する工程とを有する衝立付電極基板の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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