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J-GLOBAL ID：200903076491485487

レジストパターン形成方法

Inventor： 田中 稔彦 ,  森上 光章
Applicant, Patent owner： 株式会社ソルテック
Agent (1)： 吉原 省三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992341085
Publication number (International publication number)：1994222570
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 密集した微細なレジストパターン、或いは高アスペクトなレジストパターンがそのパターン倒れなしに形成できるレジストパターン形成方法を提供せんとするものである。【構成】 露光後現像液4を用いてレジスト2を現像すると共に、リンス液5により該現像液4の除去を行なって、このリンス液5をスピン乾燥する段になった時に、該リンス液5に粘度の低い液体を用いる。

Claim (excerpt)：

露光後現像液を用いてレジストを現像すると共に、リンス液により該現像液の除去を行ない、更にこのリンス液の乾燥を行なうレジストパターン形成方法において、該リンス液に粘度の低いものを用いることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/32 501 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-173032
  
• 特開昭62-274720
  
• レジスト現像方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-228118   Applicant：日本電気株式会社