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J-GLOBAL ID：200903076492545807

スパッタリング用銅ターゲットおよびその製造方法

Inventor： 久保井 健
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997344254
Publication number (International publication number)：1999158614
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 スパッタリング粒子の方向性をそろえ、かつ粗大クラスタの発生を低減したスパッタリング用銅ターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、純度が99.995wt%以上である純銅において、実質的な再結晶組織を有し、平均結晶粒径が80ミクロン以下であり、かつビッカース硬さが100以下であるスパッタリング用銅ターゲットである。好ましくは、平均結晶粒径は、30ミクロン以下、最大結晶粒径を100ミクロン以下とする。また製造方法は、純度が99.995wt%以上である純銅のインゴットを熱間加工し、その後900°C以下の温度で焼鈍を行い、ついで冷間圧延を40%以上の圧延率で施した後、500°C以下の温度で再結晶焼鈍して、ターゲットを得るものである。

Claim (excerpt)：

純度が99.995wt%以上である純銅において、実質的に再結晶組織を有し、平均結晶粒径が80ミクロン以下であり、かつビッカース硬さが100以下であることを特徴とするスパッタリング用銅ターゲット。

IPC (8)：

C23C 14/34 ,  C22F 1/08 ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 684 ,  C22F 1/00 685 ,  C22F 1/00 686 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 694

FI (8)：

C23C 14/34 A ,  C22F 1/08 A ,  C22F 1/00 683 ,  C22F 1/00 684 C ,  C22F 1/00 685 Z ,  C22F 1/00 686 A ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 694 A