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J-GLOBAL ID:200903076501191363

層間絶縁膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 土屋 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993044666
Publication number (International publication number):1994236972
Application date: Feb. 09, 1993
Publication date: Aug. 23, 1994
Summary:
【要約】【目的】 平滑な層間絶縁膜を形成すると共に、その後の高温熱処理によるボイドの破裂を防止して歩留りを高める。【構成】 タングステンポリサイド膜51でビット線を形成した後、SiO2 膜52を堆積させ、更に多結晶Si膜75を減圧CVD法で堆積させる。そして、多結晶Si膜75を等方的にエッチバックして凹部55を多結晶Si膜75で埋め、この状態でBPSG膜56を堆積させる。減圧CVD法で形成した多結晶Si膜75は段差被覆性が良いので、ボイドの発生を防止することができる。また、エッチバックに際して、SiO2 膜52がストッパになる。
Claim (excerpt):
半導体基板上に配線を形成する工程と、前記配線を形成した後に、第1の絶縁膜を全面に形成する工程と、前記第1の絶縁膜とはエッチング特性が異なる半導体膜を減圧CVD法で前記第1の絶縁膜上に形成する工程と、前記半導体膜を等方的にエッチバックして、前記配線上の凹部をこの半導体膜で埋める工程と、前記エッチバックの後に、第2の絶縁膜を全面に形成する工程とを含むことを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
IPC (2):
H01L 27/108 ,  H01L 21/90

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