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J-GLOBAL ID：200903076509308480

電子デバイス及び化学センサ、並びに微粒子構造体の製造方法

Inventor： トビアス フォスマヤー
Applicant, Patent owner： ソニー インターナショナル (ヨーロッパ) ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000017830
Publication number (International publication number)：2000214120
Application date： Jan. 21, 2000
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 機械的、電気的に安定した構造を有するとともに、分析処理の要望に応じて調整可能な化学センサを実現する。【解決手段】配位子9を介して基板2と第1の微粒子層aとを結合し、第1の微粒子層aに2官能性又は多官能性配位子10を結合し、2官能性又は多官能性配位子10にさらなる微粒子層bを結合する。これら工程を繰り返して微粒子構造体3を形成する。微粒子構造体3において、各微粒子8は、2官能性又は多官能性配位子9,10により互いに及び/又は基板2に結合されている

Claim (excerpt)：

導電性を有する微粒子構造体を備える電子デバイスにおいて、上記微粒子構造体は、基板と、金属及び/又は半導体の微粒子とを備え、上記微粒子は、2官能性又は多官能性配位子により互いに及び/又は上記基板に結合されていることを特徴とする電子デバイス。

FI (2)：

G01N 27/12 N ,  G01N 27/12 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ナノメータ・スケール粒子の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-063461   Applicant：ヒタチヨーロッパリミテッド
• 特許第865078号
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Colloidal Metal-Insulator-Metal Ensemble Chemiresistor Sensor