Pat
J-GLOBAL ID:200903076513690543
太陽電池の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000396712
Publication number (International publication number):2002198547
Application date: Dec. 27, 2000
Publication date: Jul. 12, 2002
Summary:
【要約】【課題】 半導体基板と良好なオーミック接触を得ることができて良好に出力を取り出すことができる太陽電池の製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を設け、この半導体基板の両主面側に銀、有機ビヒクル、およびガラスフリットを含む電極材料を焼き付けて電極を形成する太陽電池の製造方法であって、前記他の主面側の電極材料にZnまたはその化合物のうちの一種または複数種を含有する。
Claim (excerpt):
半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を設け、この半導体基板の両主面側に銀、有機ビヒクル、およびガラスフリットを含む電極材料を焼き付けて電極を形成する太陽電池の製造方法において、前記他の主面側の電極材料にZnまたはその化合物のうちの一種または複数種を含有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
F-Term (8):
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051CB20
, 5F051CB27
, 5F051FA08
, 5F051FA10
, 5F051GA04
, 5F051HA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (18)
-
太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-142406
Applicant:三菱電機株式会社
-
特開昭54-026674
-
太陽電池素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-082256
Applicant:京セラ株式会社
Show all
Return to Previous Page