半導体装置の作製方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998215643
Publication number (International publication number)：1999097713
Application date： Jun. 20, 1994
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】耐熱性の劣る基板上に良好な特性を示す絶縁ゲイト型(MIS型)シリコン半導体装置を作製する方法に関して、特にゲイト絶縁膜およびその作製方法を提供する。【解決手段】酸素等の酸化雰囲気中にシリコン半導体表面をさらし、これを400〜700°C、好ましくは500〜600°Cに加熱するか、もしくは数10秒〜数分間、強光を照射することによって、表面にごく薄い酸化膜を形成し、しかる後にプラズマCVD法等の公知の成膜手段によって絶縁被膜を成膜し、所望の厚さのゲイト絶縁膜とする。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に、非晶質珪素膜を結晶化した結晶性珪素膜でなる島状の活性層を形成する第1の工程と、酸化性雰囲気中でアニールすることによって前記活性層表面を酸化して、酸化膜を形成する第2の工程と、前記酸化膜上に、化学的気相反応手段もしくは物理的気相反応手段によって絶縁被膜を形成する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (4)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/316 S , H01L 21/318 M , H01L 29/78 617 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-022127
特開昭57-194518
特開平2-140915

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