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J-GLOBAL ID:200903076521773776
マイクロ波を利用したプラズマ発生装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小池 寛治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998093874
Publication number (International publication number):1999273895
Application date: Mar. 24, 1998
Publication date: Oct. 08, 1999
Summary:
【要約】【課題】 マイクロ波プラズマを利用して物体を加工処理するプラズマ発生装置、例えば、物体面にダイヤモンドを化学気相成長させて物体をコ-テングしたり、物体をスパッタリングし、エッチングし、または、物体をシンタリングするためのプラズマ発生装置を計算式による算出値にもとづいて装置設計すること。【解決手段】 供給したガス(H2CH4)をプラズマ25によって加熱し、プラズマ化ガスによって物体28にダイヤモンドを化学気相成長させるプラズマ発生装置において、物体28に成長するダイヤモンドの厚み成長速度H(r)、プラズマ25の中心部から物体28面上までの距離rとし、H(r)=K・(1/r2)の計算式による算出値から、ダイヤモンドの厚み成長速度H(r)、または、物体28の距離rを定める構成となっている。ただし、Kは真空度P、ガス流量L、マイクロ波出力Eなどから定まる比例係数である。
Claim (excerpt):
真空室に供給したガスをマイクロ波プラズマによって加熱し、プラズマ化ガスによって物体を加工処理するマイクロ波を利用したプラズマ発生装置において、プラズマの中心部から物体面までの距離r、または、物体の加工処理速度H(r)を、H(r)=K・(1/r2)K: 真空度、ガス流量、マイクロ波出力等によって決まる比例係数の条件式にしたがって定めて構成したことを特徴とするマイクロ波を利用したプラズマ発生装置。
IPC (6):
H05H 1/46
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (6):
H05H 1/46 B
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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マイクロ波プラズマを利用したダイヤモンド成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-146492
Applicant:ミクロ電子株式会社
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半導体装置の製造方法及び製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-210370
Applicant:株式会社リコー
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特表平4-507266
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