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J-GLOBAL ID：200903076530255052
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992019279
Publication number (International publication number)：1993218137
Application date： Feb. 05, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置及びその製造方法に係わり、信頼性の向上をはかりながらも容易に半導体素子の交換ができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体素子を配線基板に実装する際に、熱可塑性樹脂を介在させ、その樹脂の硬化によって半導体素子と配線基板との接続をする。さらに熱硬化性樹脂によって半導体素子を配線基板に固着する工程を含む。
Claim (excerpt)：
半導体素子を配線基板上にフェイスダウンで実装する半導体装置の製造方法において、前記半導体素子と前記配線基板との間に熱可塑性樹脂を介在させ、加熱および加圧により、前記半導体素子と前記配線基板との電気的接続をとる工程と、前記半導体素子の動作検査および半導体素子と配線基板との接続検査を行う工程と、前記検査工程により良品と判断された場合のみ少なくとも前記半導体素子、前記配線基板の一部および前記熱可塑性樹脂の露出部を熱硬化性樹脂で被覆し、加熱により前記半導体素子を前記配線基板に固着させる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/66
