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J-GLOBAL ID：200903076535265471

半導体発光素子、半導体発光素子の電極および半導体発光素子の製造方法

Inventor： 鎌 倉 孝 信 ,  内 野 嗣 男
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996299072
Publication number (International publication number)：1997191129
Application date： Nov. 11, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子のオーミック電極として、安価で、活性層からの光取出し効率が高く、さらに高信頼性の電極、これを含む半導体発光素子及びその製造法を提供する。【解決手段】 半導体発光素子の電極は、ダブルへテロ接合を有するペレット(1)上に多層金属薄膜(2,4)と、これらの膜間にアニールにより形成された構成元素の高濃度酸素含有層または酸化物層(3)を有し、これらの多層効果によって、電極に要求される高い導電率と透光性を達成している。この電極を含む半導体発光素子は発光効率が高く、かつ安価、高信頼性である。また、本発明にかかる半導体発光素子の製造方法によれば、電極となる多層金属膜を形成後、酸素を含む雰囲気中でアニールすることにより、金属膜間に酸化物膜を形成するようにしているので、安定に電極構造を得ることができる。

Claim (excerpt)：

ダブルヘテロ接合を含む半導体層の積層構造を有する半導体発光素子の電極であって、光透過性を有する複数層の積層金属膜と、該金属膜間に介在された光透過性の高濃度酸素含有層を備えた、半導体発光素子の電極。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/324

FI (6)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/324 Z