ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000385724
Publication number (International publication number)：2001272784
Application date： Dec. 19, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、経時での感度変動が少なく、また、疎密依存性が改善されたポジ型フォトレジスト組成物、コンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、また、レジスト液中のパーティクルの発生が少ないポジ型フォトレジスト組成物、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、また、保存安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】特定の樹脂と、特定の添加剤及び界面活性剤、特定のオニウム系光酸発生剤、又は特定の溶剤を組み合わせたポジ型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)下記一般式(I)で表される部分構造を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(C)有機塩基性化合物、並びに(D)フッ素系界面活性剤及び/又はシリコン系界面活性剤、及びノニオン系界面活性剤のうちの少なくとも1種、を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式(I)中、mは1から6の整数を表す。R1及びR2はそれぞれアルキル基もしくは環状アルキル基を表し、又はR1とR2が互いに結合して環状アルキル基を形成してもよい。R3及びR4はそれぞれ水素原子、アルキル基もしくは環状アルキル基を表し、又はR3とR4が互いに結合して環状アルキル基を形成してもよい。R5〜R7はそれぞれアルキル基、環状アルキル基、アリール基、トリアルキルシリル基又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。

IPC (8)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08L101/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/004 504 , G03F 7/075 521 , H01L 21/027

FI (8)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08L101/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/004 504 , G03F 7/075 521 , H01L 21/30 502 R

F-Term (53)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AA11 , 2H025AB08 , 2H025AB14 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB13 , 2H025CB14 , 2H025CB34 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002CE001 , 4J002CH022 , 4J002CH05 , 4J002EB016 , 4J002ED028 , 4J002ED038 , 4J002EH057 , 4J002EH158 , 4J002EN029 , 4J002ER009 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV266 , 4J002EV286 , 4J002EV296 , 4J002FD146 , 4J002FD208 , 4J002FD209 , 4J002FD312 , 4J002FD317 , 4J002GP03 , 4J002HA05 , 4J002HA08

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