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J-GLOBAL ID：200903076545519617

スパッタリングカソード及びスパッタリング装置

Inventor： 山本 直志 ,  森田 正 ,  倉内 利春 ,  箱守 宗人 ,  三沢 俊司 ,  松浦 正道
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 石島 茂男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995136125
Publication number (International publication number)：1996302464
Application date： May. 10, 1995
Publication date： Nov. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 スパッタ粒子の回り込みや侵入がないスパッタリングカソード、及びスパッタリング装置を提供する。【構成】 ターゲット81,82と、誘導結合RFコイル31,32と、開閉可能なシャッター121,122とがこの順で配置された薄膜源181,182の、前記誘導結合RFコイル31,32にプラズマの電位を制御するプラズマ電位制御装置32を接続する。プラズマ電位を下げられるので、前記薄膜源181,182周囲にカソードカバー91,92を設けることができ、基板表面に不純物が付着しなくなる。また、一つの成膜室内に異なる成分のターゲットを有するスパッタリングカソードを複数配置してもクロスコンタミネーションが発生しなくなる。前記カソードカバーに、前記プラズマを構成するスパッタリングガスの導入孔を設け、スパッタ圧力を下げると、基板にプラズマダメージを与えないようにできる。

Claim (excerpt)：

ターゲットと、誘導結合RFコイルと、開閉可能なシャッターとがこの順で配置された薄膜源を有するスパッタリングカソードであって、前記薄膜源の周囲にカソードカバーが設けられ、前記誘導結合RFコイルには、前記ターゲットのスパッタリングを行うプラズマの電位を制御するプラズマ電位制御装置が接続されたことを特徴とするスパッタリングカソード。

FI (2)：

C23C 14/34 C ,  C23C 14/34 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-013068
  
• 特開昭62-008408
  
• 特開昭61-190070