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J-GLOBAL ID：200903076546980725

アクティブマトリクスパネル及びアクティブマトリクスパネル用駆動回路

Inventor： 三澤 利之 ,  大島 弘之
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997025685
Publication number (International publication number)：1997329810
Application date： May. 17, 1988
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】ポリシリコン薄膜トランジスタにより高性能なドライバー回路部を提供する。【解決手段】ドライバー回路部はシフトレジスタとサンプルホールド回路を含み、シフトレジスタは、第1導電型と第2導電型の相補型のシリコン薄膜トランジスタからなり、サンプルホールド回路は第1導電型のシリコン薄膜トランジスタからなり、サンプルホールド回路の第1導電型のシリコン薄膜トランジスタのゲート長を、シフトレジスタの第1導電型のシリコン薄膜トランジスタのゲート長より短くすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

複数のゲー卜線、複数のソース線及び薄膜卜ランジス夕を備えた画素マ卜リクスが形成された第一の透明基板と該第一の透明基板に対向配置された第二の透明基板と該第一及び第二の透明基板間に介設された液晶より成るアクティブマ卜りクスパネルにおいて、該第一の透明基板上に、シリコン薄膜による相補型薄膜卜ランジスタより成るゲー卜線ドライバ一回路及びシリコン薄膜による相補型薄膜卜ランジスタより成るソース線ドライバー回路の少なくとも一方を具備し、前記画素マ卜リクスを構成する薄膜卜ランジスタは、前記ゲー卜線ドライバー回路乃至ソース線ドライバー回路を構成するP型薄膜トランジスタ及びN型薄膜卜ランジスタのうちの一方と同一の断面構造を有することを特徴とするアクティブマ卜リクスパネル。

IPC (5)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 505 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/30 343 ,  H01L 29/786

FI (5)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 505 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/30 343 E ,  H01L 29/78 612 B