Pat
J-GLOBAL ID：200903076559590594
不揮発性記憶素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992045710
Publication number (International publication number)：1993243582
Application date： Mar. 03, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】第1ゲート絶縁膜/フローティングゲート/第2ゲート絶縁膜/コントロールゲートを有する不揮発性記憶素子の記憶保持特性を向上させる。【構成】第1ゲート絶縁膜/フローティングゲート/第2ゲート絶縁膜/コントロールゲートを有する不揮発性記憶素子の製造方法であって、不揮発性記憶素子の上記第1ゲート絶縁膜およびフローティングゲート上に膜厚の薄い第1シリコン酸化膜9aを形成する工程と、この第1シリコン酸化膜9a上に絶縁膜10aを形成する工程と、上記絶縁膜上に膜厚の厚い第2シリコン酸化膜11aを形成する工程により、上記第1シリコン酸化膜9a/絶縁膜10a/第2シリコン酸化膜11aから構成される上記第2ゲート絶縁膜12を形成する工程と、第2ゲート絶縁膜12上にボロンの導入したポリシリコンからなるコントロールゲート8aを形成する工程を含む。
Claim (excerpt)：
第1ゲート絶縁膜/フローティングゲート/第2ゲート絶縁膜/コントロールゲートを有する不揮発性記憶素子の製造方法であって、不揮発性記憶素子の前記第1ゲート絶縁膜およびフローティングゲートを形成した後に、前記フローティングゲート上に膜厚の薄い第1シリコン酸化膜を形成する工程と、前記膜厚の薄い第1シリコン酸化膜の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に膜厚の厚い第2シリコン酸化膜を形成することにより前記膜厚の薄い第1シリコン酸化膜/絶縁膜/膜厚の厚い第2シリコン酸化膜から構成される前記第2ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第2ゲート絶縁膜上にボロンを導入したポリシリコンからなる前記コントロールゲートを形成する工程を含むことを特徴とする不揮発性記憶素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/02
, G11C 16/04
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 307 D
