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J-GLOBAL ID：200903076567882537

プラズマ発生装置並びにこの装置を利用した緻密な硬質薄膜の形成装置及び硬質薄膜の形成方法

Inventor： 阿川 義昭 ,  内藤 哲郎 ,  節原 裕一 ,  坂和 洋一
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック
Agent (1)： 八木田 茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000269097
Publication number (International publication number)：2002069635
Application date： Sep. 05, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】RF電力の吸収効率の低下を防止でき、SP3構造を多く含んだBN膜のような緻密で硬質の膜を形成できる方法及び装置を提供する。【解決手段】高真空状態にでき、内部に基板を配置した成膜室に隣接してプラズマ発生室を設け、プラズマ発生室の内部にはプラズマ発生用の高周波アンテナ及び緻密な硬質薄膜を構成する材料のターゲットをそれぞれ配置し、高密度のプラズマを発生し、ターゲットからスパッタされたターゲット材の原子を電離した状態で基板へ導入するように構成される。

Claim (excerpt)：

【請求項1】高周波放電による誘導結合方式のプラズマ発生装置において、高周波電力を印加して誘導電界を発生させる高周波アンテナをプラズマ発生室である真空容器の内部に配置し、高周波アンテナの内側に絶縁体製の放電管を配置し、プラズマ発生室の内面と放電管の外側とで囲まれ且つ高周波アンテナの導体表面のすべてが覆われる真空状態の領域に、誘電体物質を充填したことを特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  B01J 19/08 ,  H05H 1/46

FI (3)：

C23C 14/34 T ,  B01J 19/08 H ,  H05H 1/46 L

F-Term (25)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075BB02 ,  4G075BB03 ,  4G075BD14 ,  4G075CA05 ,  4G075CA25 ,  4G075CA42 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075CA63 ,  4G075FB04 ,  4G075FC09 ,  4G075FC15 ,  4K029BA34 ,  4K029BA54 ,  4K029BA59 ,  4K029BC05 ,  4K029BD04 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC28 ,  4K029DC35 ,  4K029EA06