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J-GLOBAL ID：200903076568637978

シリコン基板の酸化方法

Inventor： 山西 良樹
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238029
Publication number (International publication number)：1995094503
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 熱酸化時におけるシリコン基板11の酸化速度を部分的に減少させることができ、またシリコン基板11中のドーパント濃度を変化させることなく酸化速度を部分的に増大させることができ、しかもイオン注入量等を調節することにより酸化速度を制御して所望の厚さのシリコン酸化膜15、16を容易に部分的に形成することができる。従って、酸化膜厚の異なる領域を一度の熱酸化で形成することができ、ドーパントの拡散の防止、抵抗率の制御性の向上及び製造コストの削減を図ることができ、半導体製造の広い範囲で用いることができるシリコン基板11の酸化方法を提供すること。【構成】 シリコン基板11に窒素イオン及びアルゴンイオンを注入した後、シリコン基板11表面の熱酸化を行うシリコン基板11の酸化方法。

Claim (excerpt)：

シリコン基板に窒素イオンを注入した後、前記シリコン基板表面の熱酸化を行うことを特徴とするシリコン基板の酸化方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-073635
  
• 特開昭59-064517
  
• 特開平4-255222
  
• 特開昭62-073635