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J-GLOBAL ID：200903076571106630

半導体装置

Inventor： 八木下 淳史 ,  稗田 克彦 ,  仁田山 晃寛 ,  高東 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991314829
Publication number (International publication number)：1993152431
Application date： Nov. 28, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】外部からの定常的なバイアス供給を必要とせず、簡便でかつ種々の回路に対応できる素子分離構造を持つ半導体装置を提供することを目的とする。【構成】シリコン基板1の回路領域7内の素子領域3を囲む素子分離領域に、絶縁膜4を介してフローティングの導電体膜5が配設され、この導電体膜5にキャリア注入を行うキャリア注入素子6が回路領域7の外に設けられて、導電体膜5にキャリア注入を行うことにより、外部バイアスを必要としないトランジスタ分離が行われる。

Claim (excerpt)：

所望の素子が形成された半導体基板と、前記基板の素子分離領域に絶縁膜を介して形成された導電体膜と、前記基板上に形成された,前記導電体膜にキャリア注入を行うためのキャリア注入素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 29/784