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J-GLOBAL ID：200903076571559309
シリコンウエハ上のコンタクトホール内の自然酸化膜の除去方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
間宮 武雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991235404
Publication number (International publication number)：1993047742
Application date： Aug. 20, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 シリコンウエハ上のコンタクトホール内の自然酸化膜を、BPSG膜やPSG膜といった絶縁膜との間の選択比の改善を図ってウエハ表面から除去し、半導体デバイスの品質向上を図る。【構成】 シリコンウエハをフッ化水素ベーパー及び高濃度のアルコールベーパーの混合ベーパーにさらしてエッチング処理する。アルコールベーパーは、フッ化水素のベーパー供給経路とは別の経路を通して容器内へ供給するようにする。
Claim (excerpt)：
シリコンウエハ上に所要パターンのBPSG膜又はPSG膜の絶縁膜を被着することによって形成されるコンタクトホール内の自然酸化膜を、フッ化水素を使用して除去する方法において、外気から気密に隔離された容器内にシリコンウエハを収容し、その容器内のシリコンウエハをフッ化水素ベーパー及び高濃度のアルコールベーパーにさらすようにすることを特徴とする、シリコンウエハ上のコンタクトホール内の自然酸化膜の除去方法。
IPC (2)：
H01L 21/308
, H01L 21/306
