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J-GLOBAL ID：200903076601146624
硬質炭素膜の被覆方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青木 秀實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991190987
Publication number (International publication number)：1993009725
Application date： Jul. 04, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 硬質炭素膜を基板上に被覆する場合、付着強度が小さいので、Si、Ge、Siなどの中間層を基板上に形成して硬質炭素膜の被覆をその上に施しているが、この場合依然として中間層と基板との付着強度が問題となり、また光学材料としてのZnS やZnSeの場合前記のような中間層の介在しないことが好都合の場合もある。【構成】 不活性イオンガスまたは水素イオンを基板上に照射して、基板上に直接硬質炭素膜を形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に硬質炭素膜を被覆する方法において、炭素膜形成中、あるいはその前後に不活性ガスイオンまたは水素イオンを照射することを特徴とする硬質炭素膜の被覆方法。
IPC (3)：
C23C 14/48
, C23C 14/22
, C23C 14/32
