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J-GLOBAL ID:200903076607071189
多層セラミツクス超電導々体の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991273295
Publication number (International publication number):1993089730
Application date: Sep. 25, 1991
Publication date: Apr. 09, 1993
Summary:
【要約】【目的】 バラツキが小さく優れた超電導特性の多層セラミックス超電導々体の製造方法を提供する。【構成】 セラミックス超電導体となし得る原料物質層1を金属材料にて被覆した構造のテープ状素材3の所要数を、隣接するテープ状素材3間に硬質の金属製テープ4を介在させて積層し、この積層体5を金属製パイプ6内に挿入して多層複合ビレット7を作製する。次にこの多層複合ビレット7に延伸加工と加熱処理の工程を所望回繰返し施して多層セラミックス超電導々体を製造する。【効果】 多層複合ビレット7を延伸加工する際、延伸加工による圧縮力が前記硬質の金属製テープ4を介してテープ状素材3に均一に且つ十分に掛かり、内部のセラミックス超電導体層が形状均一で且つ結晶配向性に富むものとなる。従ってバラツキの小さい優れた超電導特性のセラミックス超電導々体8が得られる。
Claim (excerpt):
セラミックス超電導体となし得る原料物質層を金属材料にて被覆した構造のテープ状素材の所要数を積層し、この積層体を金属製パイプ内に挿入して多層複合ビレットを作製し、この多層複合ビレットに延伸加工と加熱処理の工程を所望回繰返し施す多層セラミックス超電導々体の製造方法において、所要数のテープ状素材を、隣接するテープ状素材間に硬質の金属製テープを介在させて積層一体化することを特徴とする多層セラミックス超電導々体の製造方法。
IPC (3):
H01B 13/00 565
, B21C 1/00 ZAA
, H01B 12/10 ZAA
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