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J-GLOBAL ID：200903076609446945

半導体レーザ装置

Inventor： 古沢 浩太郎 ,  三宅 輝明
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994115183
Publication number (International publication number)：1995321404
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低雑音特性を有し、かつ他の半導体レーザ装置と製造工程を共通化することができる自励発振型の半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 半導体レーザ装置の共振器端面にGa0.5 In0.5 P活性層4と同じ組成を有するGa0.5 In0.5 P可飽和吸収層11,12を形成することにより、縦モードスペクトルに自励発振を起こさせ、レーザ光の可干渉性を低下させる。また、Ga0.5 In0.5 P可飽和吸収層11,12を形成する前まで製造工程を単一モード型の半導体レーザ装置と共通化する。

Claim (excerpt)：

半導体層により構成された共振器を含む半導体レーザ装置において、前記共振器の少なくとも一方の端面に可飽和吸収層が形成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。