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J-GLOBAL ID：200903076619753145

半導体基板のオゾン洗浄方法

Inventor： 田中 一成 ,  堺谷 ひさし ,  石内 征夫 ,  吉田 寛史
Applicant, Patent owner： 三菱瓦斯化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253822
Publication number (International publication number)：1996124888
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【構成】 半導体基板を、好ましくは過酸化水素を含む水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に浸漬し、同時にオゾンを吹き込むことにより洗浄する。【効果】 薬液濃度の低下を生じること無く半導体基板の洗浄を行うことができ、高度に洗浄された半導体基板を得る方法が提供される。

Claim (excerpt)：

半導体基板を、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液及びオゾンを使用して洗浄することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/02 ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/308