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J-GLOBAL ID：200903076626742396
半導体基板の製造方法及びそれを用いた液晶画像表示装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993213549
Publication number (International publication number)：1995050293
Application date： Aug. 06, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 安定かつ良好な素子特性を得る。【構成】 絶縁面上に設けられた単結晶半導体層103を有する半導体基板の製造方法において、前記単結晶半導体層103のエッチングにTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドライド)を用いる。
Claim (excerpt)：
絶縁面上に設けられた単結晶半導体層を有する半導体基板の製造方法において、前記単結晶半導体層のエッチングにTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドライド)を用いたことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/308
, H01L 21/18
, H01L 21/84
