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J-GLOBAL ID：200903076628684202

半導体装置の内部降圧回路

Inventor： 伊原 誠
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991177030
Publication number (International publication number)：1993019914
Application date： Jul. 17, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【構成】内部降圧回路21に、動作/待機スイッチ信号41に従って内部降圧回路21を流れる電流をオン及びオフするトランジスタ28を設け、さらに、半導体装置が待機状態にある間、所定のデューティ比を有するパルス状の制御信号をトランジスタ27に与えるようにする。【効果】半導体装置の待機時には内部降圧回路は所定のデューティ比で間欠的にしか動作しないため、消費電力がそのデューティ比に応じて低減される。

Claim (excerpt)：

半導体装置の内部降圧回路であって、所定デューティ比のパルス信号を発生するパルス信号発生手段、及び該パルス信号を受け、該半導体装置の待機時に、該パルス信号に応じて該内部降圧回路を周期的に活性化させるスイッチ手段を備えている、半導体装置の内部降圧回路。